Circuit integrat nou original BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip
BSZ040N06LS5
Nivelul logic al MOSFET-urilor de putere OptiMOS™ 5 de la Infineon sunt foarte potrivite pentru încărcare fără fir, adaptoare și aplicații de telecomunicații.Încărcarea scăzută a porții a dispozitivelor (Q g) reduce pierderile de comutare fără a compromite pierderile de conducție.Figurile de merit îmbunătățite permit operații la frecvențe de comutare înalte.În plus, unitatea de nivel logic oferă un prag de poartă scăzutTensiunea de menținere (V GS(th)) permițând ca MOSFET-urile să fie conduse la 5V și direct de la microcontrolere.
Rezumatul caracteristicilor
R DS scăzut (activat) în pachet mic
Încărcare mică la poartă
Taxă de ieșire mai mică
Compatibilitate la nivel logic
Beneficii
Proiecte cu densitate de putere mai mare
Frecvență de comutare mai mare
Număr redus de piese oriunde sunt disponibile surse de 5V
Acționat direct de la microcontrolere (comutare lentă)
Reducerea costurilor sistemului
Parametrici
| Parametrici | BSZ040N06LS5 |
| Preț bugetar €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montare | SMD |
| Temperatura de functionare min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 69 W |
| Pachet | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Număr de pin | 8 ace |
| Polaritate | N |
| QG (tip @4,5V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (pornit) (@4,5V LL) max | 5,6 mΩ |
| RDS (pornit) (@4,5V) max | 5,6 mΩ |
| RDS (pornit) (@10V) max | 4 mΩ |
| Rth max | 1,8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1,8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
