Componentă electronică nouă și originală IRF7103TRPBF IC Chip
Atributele produsului
| TIP | DESCRIERE |
| Categorie | Produse semiconductoare discrete |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Pachet | Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® |
| Stare produs | Activ |
| Tip FET | 2 canale N (dublu) |
| Caracteristica FET | Standard |
| Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) | 30V |
| Curent – Drenaj continuu (Id) la 25°C | 6,5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5,8 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Încărcare de poartă (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Putere - Max | 2W |
| Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tip de montare | Montaj de suprafață |
| Pachet / Cutie | 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm lățime) |
| Pachetul dispozitivului furnizorului | 8-SO |
| Numărul produsului de bază | IRF7313 |
Documente și media
| TIP DE RESURSA | LEGĂTURĂ |
| Foi de date | IRF7313PbF |
| Alte documente conexe | Sistem de numerotare a pieselor IR |
| Module de instruire pentru produse | MOSFET-uri de putere discretă 40V și mai jos |
| Produs recomandat | Sisteme de prelucrare a datelor |
| Foaie de date HTML | IRF7313PbF |
| Modele de simulare | IRF7313 Model Sabre |
Clasificări de mediu și export
| ATRIBUT | DESCRIERE |
| Stare RoHS | Conform ROHS3 |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 1 (Nelimitat) |
| Stare REACH | REACH neafectat |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Resurse aditionale
| ATRIBUT | DESCRIERE |
| Alte nume | IRF7313PBFDKR SP001562160 IRF7313PBFCT IRF7313PBFTR *IRF7313TRPBF |
| Pachet standard | 4.000 |
Un tranzistor este un dispozitiv semiconductor care este utilizat în mod obișnuit în amplificatoare sau comutatoare controlate electronic.Tranzistorii sunt blocurile de bază care reglementează funcționarea computerelor, telefoanelor mobile și a tuturor celorlalte circuite electronice moderne.
Datorită vitezei de răspuns rapide și preciziei ridicate, tranzistorii pot fi utilizați pentru o mare varietate de funcții digitale și analogice, inclusiv amplificare, comutare, regulator de tensiune, modulare a semnalului și oscilator.Tranzistoarele pot fi ambalate individual sau într-o zonă foarte mică care poate conține 100 de milioane sau mai mulți tranzistori ca parte a unui circuit integrat.
În comparație cu tubul electronic, tranzistorul are multe avantaje:
Componenta nu are consum
Indiferent cât de bun este tubul, acesta se va deteriora treptat din cauza modificărilor atomilor catodici și a scurgerilor cronice de aer.Din motive tehnice, tranzistorii au avut aceeași problemă când au fost fabricați pentru prima dată.Cu progrese în materiale și îmbunătățiri în multe aspecte, tranzistoarele durează de obicei de 100 până la 1.000 de ori mai mult decât tuburile electronice.
Consumă foarte puțină energie
Este doar o zecime sau zeci de unu din tubul electronic.Nu este nevoie să încălziți filamentul pentru a produce electroni liberi precum tubul de electroni.Un radio cu tranzistori are nevoie doar de câteva baterii uscate pentru a asculta timp de șase luni pe an, ceea ce este dificil de făcut pentru radioul cu tuburi.
Nu este nevoie să preîncălziți
Lucrați imediat ce îl porniți.De exemplu, un radio cu tranzistor se stinge de îndată ce este pornit, iar un televizor cu tranzistor creează o imagine de îndată ce este pornit.Echipamentul cu tuburi de vid nu poate face asta.După pornire, așteptați un timp pentru a auzi sunetul, vedeți imaginea.În mod clar, în domeniul militar, de măsurare, înregistrare etc., tranzistoarele sunt foarte avantajoase.
Puternic și de încredere
De 100 de ori mai fiabil decât tubul electronic, rezistența la șocuri, rezistența la vibrații, care este incomparabilă cu tubul electronic.În plus, dimensiunea tranzistorului este de numai o zecime până la o sutime din dimensiunea tubului de electroni, eliberarea de căldură foarte mică, poate fi folosită pentru a proiecta circuite mici, complexe și fiabile.Deși procesul de fabricație a tranzistorului este precis, procesul este simplu, ceea ce conduce la îmbunătățirea densității de instalare a componentelor.
