-
IPD031N06L3G nou original cip IC pentru componente electronice MCU serviciu BOM în stoc IPD031N06L3G
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 60 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 100 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds max. activat, Rds min. activat) 4,5 V, 10 V Rds pornit (max) @ Id, Vgs 3,1 mOhm @ 100A... -
IMZA65R072M1H Chipuri IC Tranzistoare Componente electronice Circuit integrat Condensator IMZA65R072M1H
Atribute produsului DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistoare – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies - Tub de pachet Stare produs Tip FET activ - Tehnologie - Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C 28A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds max. On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Caracteristică FET - Disiparea puterii (Max) - Temperatura de funcționare - Număr produs de bază IMZA6.. . -
Cotați lista BOM IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Circuit integrat
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Diode – Redresoare – Rețele Producător Infineon Technologies Seria Rapid 2 Pachet Tub Stare produs Configurație diodă activă 1 pereche Tip diodă catodă comun Tensiune standard – DC inversă (Vr) (Max) 650 V Curent – Mediu redresat ( Io) (pe diodă) Tensiune 15A – înainte (Vf) (Max) @ Dacă 2,2 V @ 15 A Viteză Recuperare rapidă =< 500ns, > 200mA (Io) Recuperare inversă... -
KWM Original nou BSZ100 Tranzistor PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Cip IC de circuit integrat în stoc
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 60 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 40 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds max. activat, Rds min. activat) 6 V, 10 V Rds pornit (max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip Nou Circuit integrat original
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 25 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds max. activat, Rds min. activat) 4,5 V, 10 V Rds pornit (max.) @ Id, Vgs 6mOhm... -
(STOC) BSS138NH6327 nou&original Componente electronice produs fierbinte
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies SIPMOS® Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid metalic) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 60 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 230 mA (Ta) Tensiune de antrenare (Rds max. activat, Rds min. activat) 4,5 V, 10 V Rds pornit (max) @ Id, Vgs 3,5 Ohm @ 230mA... -
Original nou în stoc MOSFET tranzistor Diodă tiristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip componentă electronică
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies SIPMOS® Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid metalic) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) 600 V Curent – Scurgere continuă (Id) la 25°C 120 mA (Ta) Tensiune de antrenare (Rds max. activat, Rds min. activat) 4,5 V, 10 V Rds pornit (max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA... -
MOSFET original nou-nouț TDSON-8 BSC0902NSI
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 30 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds max. activat, Rds min. activat) 4,5 V, 10 V Rds pornit (max.) @ Id, Vgs 2.8m... -
Circuit integrat nou în stoc TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 cip Ic
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 100 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds maxim pornit, Rds min pornit) 6 V, 10 V Rds pornit (max) @ Id, Vgs 16mOh... -
Circuit integrat BSC100N06LS3G nou și original
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 60 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 12A (Ta), 50 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds max. activat, Rds min. activat) 4,5 V, 10 V Rds pornit (max.) @ Id, Vgs 10mOh... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ cip Ic componentă electronică originală
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 100 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 90 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds maxim pornit, Rds min activat) 6 V, 10 V Rds pornit (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V... -
AQX BSC060N10NS3G Cip de circuit integrat nou și original BSC060N10NS3G Atributele produsului
Atribute produs DESCRIERE TIP Categorie Produse semiconductoare discrete Tranzistori – FET-uri, MOSFET-uri – Producător unic Seria Infineon Technologies OptiMOS™ Pachet Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® Stare produs Tip FET activ Tehnologie N-Channel MOSFET (oxid de metal) ) Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) Curent de 100 V – Scurgere continuă (Id) la 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Tensiune de antrenare (Rds maxim pornit, Rds min activat) 6 V, 10 V Rds pornit (max) @ Id, Vgs 6mOh...
