AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip Nou Circuit integrat original
Atributele produsului
| TIP | DESCRIERE |
| Categorie | Produse semiconductoare discrete |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Pachet | Bandă și bobină (TR) Bandă tăiată (CT) Digi-Reel® |
| Stare produs | Activ |
| Tip FET | Canal N |
| Tehnologie | MOSFET (oxid de metal) |
| Tensiune de scurgere la sursă (Vdss) | 25 V |
| Curent – Drenaj continuu (Id) la 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat) | 4,5 V, 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Încărcare de poartă (Qg) (Max) @ Vgs | 9,1 nC la 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF la 12 V |
| Caracteristica FET | - |
| Disiparea puterii (max.) | 2,1 W (Ta), 26 W (Tc) |
| Temperatura de Operare | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tip de montare | Montaj de suprafață |
| Pachetul dispozitivului furnizorului | PG-TSDSON-8-FL |
| Pachet / Cutie | 8-PowerTDFN |
| Numărul produsului de bază | BSZ060 |
Documente și media
| TIP DE RESURSA | LEGĂTURĂ |
| Foi de date | BSZ060NE2LS |
| Alte documente conexe | Ghid de numere de piesă |
| Produs recomandat | Sisteme de prelucrare a datelor |
| Modele EDA | BSZ060NE2LSATMA1 de către Ultra Librarian |
| Modele de simulare | MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model |
Clasificări de mediu și export
| ATRIBUT | DESCRIERE |
| Stare RoHS | Conform ROHS3 |
| Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL) | 1 (Nelimitat) |
| Stare REACH | REACH neafectat |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Resurse aditionale
| ATRIBUT | DESCRIERE |
| Alte nume | BSZ060NE2LS BSZ060NE2LS-ND BSZ060NE2LSATMA1CT BSZ060NE2LSDKR-ND SP000776122 BSZ060NE2LSCT-ND BSZ060NE2LSTR-ND BSZ060NE2LSATMA1DKR BSZ060NE2LSDKR BSZ060NE2LSATMA1TR BSZ060NE2LSCT |
| Pachet standard | 5.000 |
Un tranzistor este un dispozitiv semiconductor care este utilizat în mod obișnuit în amplificatoare sau comutatoare controlate electronic.Tranzistorii sunt blocurile de bază care reglementează funcționarea computerelor, telefoanelor mobile și a tuturor celorlalte circuite electronice moderne.
Datorită vitezei de răspuns rapide și preciziei ridicate, tranzistorii pot fi utilizați pentru o mare varietate de funcții digitale și analogice, inclusiv amplificare, comutare, regulator de tensiune, modulare a semnalului și oscilator.Tranzistoarele pot fi ambalate individual sau într-o zonă foarte mică care poate conține 100 de milioane sau mai mulți tranzistori ca parte a unui circuit integrat.
În comparație cu tubul electronic, tranzistorul are multe avantaje:
Componenta nu are consum
Indiferent cât de bun este tubul, acesta se va deteriora treptat din cauza modificărilor atomilor catodici și a scurgerilor cronice de aer.Din motive tehnice, tranzistorii au avut aceeași problemă când au fost fabricați pentru prima dată.Cu progrese în materiale și îmbunătățiri în multe aspecte, tranzistoarele durează de obicei de 100 până la 1.000 de ori mai mult decât tuburile electronice.
Consumă foarte puțină energie
Este doar o zecime sau zeci de unu din tubul electronic.Nu este nevoie să încălziți filamentul pentru a produce electroni liberi precum tubul de electroni.Un radio cu tranzistori are nevoie doar de câteva baterii uscate pentru a asculta timp de șase luni pe an, ceea ce este dificil de făcut pentru radioul cu tuburi.
Nu este nevoie să preîncălziți
Lucrați imediat ce îl porniți.De exemplu, un radio cu tranzistor se stinge de îndată ce este pornit, iar un televizor cu tranzistor creează o imagine de îndată ce este pornit.Echipamentul cu tuburi de vid nu poate face asta.După pornire, așteptați un timp pentru a auzi sunetul, vedeți imaginea.În mod clar, în domeniul militar, de măsurare, înregistrare etc., tranzistoarele sunt foarte avantajoase.
Puternic și de încredere
De 100 de ori mai fiabil decât tubul electronic, rezistența la șocuri, rezistența la vibrații, care este incomparabilă cu tubul electronic.În plus, dimensiunea tranzistorului este de numai o zecime până la o sutime din dimensiunea tubului de electroni, eliberarea de căldură foarte mică, poate fi folosită pentru a proiecta circuite mici, complexe și fiabile.Deși procesul de fabricație a tranzistorului este precis, procesul este simplu, ceea ce conduce la îmbunătățirea densității de instalare a componentelor.
